收藏本站
New Product
Si1401EDH
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
t 2
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 125 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA (t)
4. Surface Mounted
10
10
0.01
10 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?70080 .
www.vishay.com
6
Document Number: 70080
S10-1537-Rev. A, 19-Jul-10
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI1426DH-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6
SI1469DH-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V SC-70-6
SI1470DH-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V SC-70-6
SI1471DH-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V SC-70-6
SI1557DH-T1-E3 MOSFET N/P-CH 12V SC70-6
SI1563EDH-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
SI1900DL-T1-E3 MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
SI1902DL-T1-GE3 MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6
相关代理商/技术参数
SI1402DH 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI1402DH-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 3.4A 0.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1402DH-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SI1403BDL 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI1403BDL-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1403BDL-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Single P-Channel 20 V 0.15 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SC-70-6 (SOT-363)
SI1403CDL 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI1403CDL-T1-GE3 功能描述:MOSFET P-CH D-S 20V SC-70-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件